华科智源

SIC碳化硅器件参数测试仪

功能及主要参数:
  适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。

  • 品牌: 华科智源
  • 名称: SIC动态参数测试仪
  • 型号: HUSTEC-3000
  • 用途: SIC器件,MOS管, IGBT测试

  • 产品参数
  • 品牌: 华科智源
  • 名称: SIC动态参数测试仪
  • 型号: HUSTEC-3000
  • 用途: SIC器件,MOS管, IGBT测试

功能及主要参数:
  适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。
  主要技术参数:
  IGBT开关特性测试
  开关时间测试条件
  Ic:50A~1000A     Vce:200V~2000V
  Vgs:-10V~+20V  Rg:1R~100R可调(可选择4档及外接)
  负  载:感性负载阻性负载可切换
  电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH
  电阻范围:0.5R、1R、2R、4R
  IGBT开关特性测试参数
  开通延迟td(on): 20nS -10uS     
  上升时间tr:    20nS -10uS
  开通能量Eon:  0.1-1000mJ                
  关断延迟时间td(off):20 nS -10uS  
  下降时间 tf: 20nS -10uS                   
  关断能量Eoff:0.1-1000mJ
  二极管反向恢复特性测试
  FRD测试条件:正向电流IF:50A~1000A;反向电压 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;负载:感性负载可选
  电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH
  FRD测试参数
  反向恢复时间trr:20nS -2uS
  反向恢复电荷Qc:10nC~10uC;
  反向恢复电流Irm:50A~1000A
  反向恢复损耗Erec:0.1mJ~1000mJ
产品优势
  国内唯一能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备。

SIC碳化硅器件参数测试仪
功能及主要参数:
  适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。
长按识别二维码查看详情
长按图片保存/分享
询盘

咨询表单:

  • 请输入验证码

咨询内容:


你还没有添加任何产品

SIC碳化硅器件参数测试仪

立即询盘
询盘

咨询表单:

  • 请输入验证码

咨询内容:


你还没有添加任何产品

图片展示
公众号

快捷导航

资讯分类

分类标题

联系方式

    联系电话:0755-2322 6816

    联系手机:13008867918

    邮箱:chensl@hustec.cn

    地址:深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606

图片展示

©2021 深圳市华科智源科技有限公司 版权所有

©2021 深圳市华科智源科技有限公司 版权所有 |粤ICP备17034062号  

您好!华科智源客服在线,欢迎咨询~
联系方式
咨询电话
0755-2322 6816
陈先生
13008867918
E-mail地址
chensl@hustec.cn
添加微信好友,详细了解产品
使用企业微信
“扫一扫”加入群聊
复制成功
添加微信好友,详细了解产品
我知道了